Kristāla diodes p-tipa pusvadītāja un n-tipa pusvadītāju p-n krustojuma veidošanās, komunikācijas slānī veido abas saskarnes puses, un kopš tā laika ir uzbūvējis elektrisko lauku. Ja nav ārējā sprieguma, p-n savienojuma rezultāts abās nesēja koncentrācijas gradienta difūzijas strāvas pusēs un iebūvēts elektriskais dreifēšanas strāvas lauks elektriskajā līdzsvarā ir vienāds.
Ja ārpuses, ja ir pozitīva sprieguma nobīde, ārējo elektrisko lauku un veidot savstarpēju kavēšanas efektu elektrisko lauku, lai palielinātu difūzijas pārvadātājiem ir izraisījusi priekšu strāvu.
Ja ārpuses, ja ir apgrieztās novirzes spriegums, būvniecība elektrisko lauku ar ārējo elektrisko lauku un vēl vairāk stiprināt un veido noteiktu atpakaļgaitas sprieguma diapazons apgrieztās novirzes sprieguma vērtību reversās piesātinājuma pašreizējo I0.
Ja atpakaļgaitas spriegums zināmā mērā, elektriskā lauka stiprums p-n krustojuma kosmosa maksas slāņa nesēja pavairošanas procesā sasniedz kritisko vērtību, rada lielu skaitu elektronu caurumu pāriem, ir tik liels apgrieztā sadalījuma strāva tiek ražots, kas pazīstams kā diodes sadalījums parādība.